L'effetto body è dovuto alla presenza di capacità parassite tra il canale, sostanzialmente al potenziale del source, ed il substrato del transistore: vi è una partizione capacitiva tra la capacità gate-canale e la capacità canale-substrato.
Nei MOS a svuotamento il gate deve essere polarizzato negativamente rispetto al source, così come nei JFET. I circuiti di polarizzazione sono gli stessi usati per i JFET.
In un transistor FET l'effetto transistor si ottiene tramite il campo elettrico indotto dalla tensione applicata tra il terminale di gate e l'estremità opposta del semiconduttore, detto bulk, che è generalmente posto al potenziale di source.
Quando si applica una tensione al gate il canale si svuota, riducendo il flusso di corrente attraverso il transistor. In sostanza un MOSFET a svuotamento si comporta come un interruttore normalmente chiuso, mentre una MOSFET ad arricchimento si comporta come un interruttore normalmente aperto.
Contrazione della sigla inglese MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) con cui sono indicati i transistori a effetto di campo del tipo metallo-ossido-semiconduttore, generalmente realizzati con il silicio, e i circuiti integrati monolitici in cui essi sono presenti.